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第一三一章 同意出口(2 / 2)

国软件市场。

美国曙光投资公司(ati)控股的ga成了同尼康半导体公司并驾齐驱的光刻机龙头企业,研发的90n制程工艺光刻机已经量产,但在65n制程工艺上都遇到了无法克服的困难。

尼康光刻机研究院和ga光刻机研究院采用arf193n光源,研发一年多,毫无进展。

业界普遍认为193n光刻无法延伸到65n制程工艺,而157n将成为主流光源技术,但157n光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。

业界对下一代光刻机的发展提出了两种路线,一是以尼康和佳能等日本光刻机半导体企业,主张开发波长更低的157n的f2准分子激光做为光源;二是ga和英特尔发起建立了euv联盟,采用极紫外光源(euv)来提供波长更短的光源。

euv联盟中除了ga、英特尔和牵头的美国能源部以外,还有摩托罗拉、ad、ib,以及能源部下属三大国家实验室劳伦斯利弗莫尔国家实验室、桑迪亚国家实验室和劳伦斯伯克利实验室。

ga光刻机半导体研究院院长兼任光刻机光源研究所所长汤普森院士从1993年7月开始研发euv,ga前后投资了15亿美元,也没有取得成功,1997年7月自动放弃了研究。

1997年10月,汤普森院士出面邀请英特尔和美国能源部共同开发euv。

前世,英特尔邀请尼康和a加入euv联盟,但美国政府反对尼康加入,a做出多重承诺后才得到这个千载难遇的机会,资金到位,技术入场,人才云集,euv联盟也花了近20年的时间,第一台可量产的aeuv样机才正式发布。

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